Cina scienziati presentano dispositivo di memoria flash piu’ veloce al mondo

Un team di ricerca cinese ha sviluppato un rivoluzionario dispositivo di memoria flash in grado di memorizzare dati alla velocita’ di un bit ogni 400 picosecondi, stabilendo un nuovo record per il dispositivo di memorizzazione a semiconduttore piu’ veloce mai registrato. Denominata “PoX”, questa memoria non volatile supera anche le piu’ veloci tecnologie di memoria volatile, che impiegano da 1 a 10 nanosecondi per memorizzare un bit di dati. Un picosecondo e’ un millesimo di nanosecondo o un trilionesimo di secondo. Le memorie volatili come la SRAM e la DRAM, che perdono i dati in caso di perdita di potenza, non sono adatte ai sistemi a basso consumo, mentre le memorie non volatili come la flash, pur essendo efficienti dal punto di vista energetico, non riescono a soddisfare le esigenze di accesso ai dati ad alta velocita’ dell’IA.Leggi su Romadailynews.it